Aspect ratio oz. razmerje stranic služi kot merilo raztezka računskih celic. V splošnem velja pravilo, da je maksimalno dovoljeno razmerje stranic računskih celic 5:1. V primeru štirikotnika je dovoljeno maksimalno razmerje 10:1. V našem primeru je povprečna vrednost razmerja stranic enako 1,0009:1 ter maksimalna vrednost 1,0343:1, kar ustreza kriteriju dobro zasnovane računske mreže.
3.3. ANSYS Fluent
Nadaljnji korak numerične analize predstavlja samoreševanje numerične simulacije, pri katerem določimo robne pogoje in druge osnovne nastavitve. V tem koraku smo se poslužili programskega okolja ANSYS, podprograma Fluent.
V osnovnih nastavitvah (ang. General) smo izbrali časovno diskretizacijo. V samem izračunu smo upoštevali delovanje gravitacijske sile. Ker se analitičen problem nanaša na večfazni tok, smo pri izbiri modela za izračun (ang. Models) uporabili VOF (ang. Volume of Fluid). VOF model oblikuje za vse tekočine in volumske deleže v vsaki računski celici eno transportno enačbo. Deluje na principu Eulerjevega opisa. Izbrali smo eksplicitno shemo, ki z interpolacijo končnih razlik določa volumski delež posamezne faze. V tem koraku vključimo tudi opcijo, ki ponuja bolj robustno rešitev in v analizi večfaznega problema izboljša konvergenco z upoštevanjem delnega ravnotežja med tlačnim gradientom in površinsko napetostjo v momentni enačbi (ang. Implicit Body Force). Kot že omenjeno imamo večfazni tok, zato v bazo snovi (ang. Materials) iz Fluentove knjižnice podatkov dodamo vodo in zrak. Na stični površini med obema fazama določimo površinsko napetost 0,072 N/m (podatek za vodo pri temperaturi 20 °C [10]). Pri določanju robnih pogojev (ang.
Boundary Conditions) izhajamo iz podatkov, ki jih podaja proizvajalec hidrofobnega sloja.
Ta zagotavlja kot omočljivosti 115°, kar posledično predstavlja naš robni pogoj na vseh površinah. Pri izbiri metode izračuna izberemo metodo PISO (ang. Pressure Implicit with Splitting of Operators). Gre za shemo, ki povezuje tlak in hitrost in spada v družino SIMPLE algoritmov. Temelji na višji stopnji aproksimacije relacije med tlakom in hitrostjo. Ostale sheme, ki povezujejo hitrost in tlak, po izračunu ne ustrezajo momentnemu ravnovesju.
Posledično je potrebno izračun ponavljati dokler le ta ne postane ustrezen. Prednost PISO sheme je, da z namenom izboljšanja izračuna algoritem izvede dva dodatna popravka:
popravek soseda (ang. Neighbor Correction) in popravek ukrivljenosti (ang. Skewness Correction). Za shemo PISO sta privzeti vrednosti obeh popravkov 1. V zavihku krajevne
Numerična simulacija
diskretizacije gradienta (ang. Spatial Discretization) izberemo metodo najmanjših kvadratov (ang. Least Squares Cell Based), ki daje rešitev, katera variira linearno.
Po nastavitvi robnih pogojev in metode izračuna izvedemo še inicializacijo in v računsko mrežo vstavimo kapljico, kar prikazuje slika 3.3.
Slika 3.3: Začetno stanje numerične analize
4. Eksperimentalno delo
V začetnem delu poglavja so predstavljene metode in postopki, ki so uporabljeni pri izdelavi elektrod. Sledi opis postopka fotolitografije in utemeljitev izbire kemikalij, ki so uporabljene pri procesu fotolitografije. V nadaljevanju je predstavljen postopek napraševanja kovinskega sloja na masko litografije in postopek odstranjevanja odvečnega kovinskega sloja. Opisana je izbira električnega izolatorja oz. dielektrika, proces nanašanja le tega, določitev potrebne debeline filma dielektrika ter izračun napetosti porušitve. Kot zadnji korak izdelave elektrod je predstavljen postopek nanosa hidrofobnega sloja. Opisana je tudi izbira prevodne in izolacijske tekočine ter sama zasnova geometrije elektrod. V zadnjem delu poglavja je predstavljen postopek numerične simulacije, s katero v naslednjem poglavju numerično primerjamo delovanje izdelanega sistema.
4.1. Priprava površine
Priprava vzorcev elektrod je potekala v čisti sobi. Razlog za to je količina finega prahu, ki se nahaja v zraku. V enem kubičnem metru zraka se lahko nahaja nekaj milijonov finih delcev velikostnega razreda 1–10 μm ter nekaj bilijonov finih delcev velikosti premera manj kot 100 nm. Strukture, ki jih izdelamo z fotolitografijo so velikosti nekaj 10 μm ter celo sub-mikronskega velikostnega razreda. Posledično lahko fini delci prahu, ki se odlagajo na substrat pred nanosom fotorezista, na sloj fotorezista ali pa na površino po koncu fotolitografskega postopka, povzročajo defekte na površini, ki rezultirajo v kratkih stikih na končni napravi [41]. Postopek priprave površine je predstavljen v nadaljevanju.
4.1.1. Izbira substrata
Pri določanju optimalnih parametrov izdelave elektrod smo za substrat prvotno uporabili objektivno steklo, ki se običajno uporablja za držanje vzorcev pri mikroskopski analizi. Gre za tanek in raven kos stekla, dimenzij 76 x 26 mm in debeline približno 1 mm. Vendar pa smo ugotovili, da pri uporabi stekla prihaja do precejšnjih težav z adhezijo v koraku
Eksperimentalno delo
razvijanja fotorezista. Pri potopu substrata v razvijalec je bila namreč napaka vidna zelo hitro, saj so se na površini substrata že po nekaj sekundah začele formirati luske fotorezista, ki so odstopale od steklene podlage. Pojav je prikazan na sliki 4.1. Adhezija pri uporabi fotorezista je odvisna od različnih dejavnikov. Pomembna faktorja med osvetljevanjem sta elastičnost filma fotorezista in ujemanje notranjih napetosti med substratom in fotorezistom.
Ko je fotorezist izpostavljen ultravijolični (UV) svetlobi, fotoaktivna komponenta v fotorezistu generira dušik. Če je nastala količina plina večja od sproščene količine plina, potem na površini nastanejo luske. Po osvetlitvi fotorezista, odvečni dušik potisne sloj fotorezista stran od površine substrata. Taka formacija lusk je posledica treh dejavnikov:
nizke adhezijske energije fotorezista, deformacijske energije fotorezista ter prenosa obsevalne energije UV svetlobe na fotorezistni film [48]. Težave z adhezijo pri uporabi steklene površine pripisujemo predvsem prenosu UV svetlobe znotraj stekla. Po menjavi steklene podlage z silicijevim substratom, katerega lastnosti so opisane v nadaljevanju, se težava z adhezijo ni več pojavljala.
Slika 4.1: Težave z adhezijo pri uporabi steklene površine
V nadaljevanju smo torej pri eksperimentalnem delu uporabili silicijev substrat. Silicij je že desetletja vodilni polprevodnik na področju mikroelektronike. Glavna prednost silicija v primerjavi z ostalimi prevodnimi materiali, kot sta npr. germanij ali galijev arzenid, je možnost izdelave kemično stabilnega električnega izolatorja, z visoko električno prebojno trdnostjo, s pomočjo toplotne oksidacije v SiO2. Postopek izdelave silicijevega substrata se prične z odstranjevanjem nečistoč iz surovega silicija, saj je le teh preveč za uporabo v mikroelektroniki. Silicijev substrat za mikroelektronska vezja mora biti monokristalne strukture, katero pa proizvajamo iz polikristalne strukture z uporabo metode Czochralskega ali conske rafinacije (ang. float zone). S pomočjo omenjenih tehnik se formira ingote, iz katerih so nato izrezane oblike manjših valjev ter kasneje rezine, ki so prikazane na sliki 4.2.
Premeri rezin silicijevega substrata so običajno podani v inčih, debeline rezin pa variirajo glede na premer in znašajo med 280 μm (za premer 2 inča) in 675 μm (za premer 8 inčev) [41].
Eksperimentalno delo
Slika 4.2: Različne silicijeve rezine [41]
Odločili smo se za uporabo silicijevega substrata premera 4 inčev proizvajalca MicroChemicals. Gre za rezino debeline 525 ± 25 μm, tipa p in orientacije <100> (orientacija glavne osi kristala). Upornost substrata je 1 – 10 Ωcm. Rezina je spolirana samo na eni strani.
Fotorezist in vse nadaljnje sloje smo nanašali na spolirano stran. Osnovo rezine predstavlja silicij, na katerem je film SiO2 debeline 2000 nm. V nasprotju z osnovnim silicijem je sloj SiO2 amorfne strukture. SiO2 se razvije iz osnovnega silicija naravno, s pomočjo termične obdelave ali s pomočjo plazme (ang. plasma enhanced chemical vapour deposition). Ločimo med suho oksidacijo (Si + O2 → SiO2) in mokro oksidacijo (Si + 2H2O → SiO2 + 2H2), pri kateri kot procesni plin uporabimo vodno paro. Pri enakih procesnih parametrih pride pri mokri oksidaciji do večje poroznosti v oksidiranem sloju predvsem zaradi hitrejše rasti.
Kemične reakcije, ki se vršijo na površini pri samem začetku rasti sloja SiO2, omejujejo debelino filma. Na začetku oksidacije debelina filma linearno narašča s časom. Z naraščanjem debeline sloja SiO2 pa vse bolj prevladujoča difuzija kisika omejuje hitrost rasti SiO2. Debelina SiO2 se v tem primeru povečuje s kvadratnim korenom časa rasti. Stopnja rasti SiO2 je odvisna od sestave procesnega plina (O2 / H2O), parcialnega tlaka procesnega plina, temperature podlage in orientacije kristala substrata Si [41]. V primeru izbranega substrata je na osnovnem Si rast SiO2 potekala kombinirano v sosledju suha / mokra / suha oksidacija [45].
4.1.1.1. Čiščenje substrata
Pri substratih onesnaženih z organskimi nečistočami se priporoča dvostopenjsko kaskadno čiščenje, ki je prikazano na sliki 4.3. V prvem koraku smo substrat očistili z acetonom, s čimer se odstranijo vse organske nečistoče. V drugem koraku smo substrat očistili z izopropanolom, ki s površine odstrani onesnažen aceton [44]. Površino substrata smo najprej očistili z acetonom v ultrazvočni kopeli SONIS 4 GT proizvajalca Iskra PIO d. o. o. Enako smo ponovili še z uporabo izopropanola. Ultrazvočna kopel služi za čiščenje površin in pri svojem delovanju izkorišča ultrazvočno valovanje (običajno med 20 in 40 kHz). Ultrazvočni
Eksperimentalno delo
valovi v čistilni tekočini ustvarijo kavitacijo, pri čimer zračni mehurčki komprimirajo do te mere, da implodirajo in pri tem oddajo veliko količino energije. Ta energija se sprošča v umazanijo na površini, kar povzroči odstranitev nečistoč brez poškodb na površini materiala.
Rezultat je čista površina z izgledom mikrokrtačenja, saj mehurčki (ki so običajno manjši od 1 μm) prodrejo v vsako razpoko.
Slika 4.3: Dvostopenjsko kaskadno čiščenje substrata
Substrat po kaskadnem čiščenju osušimo s komprimiranim dušikom. Naknadno izpiranje površine z destilirano vodo ni zaželeno, saj lahko s tem izničimo učinek čiščenja izopropanola. Za čiste površine se priporoča nekajminutno peko na grelni plošči pri temperaturi približno 120 °C. S tem dosežemo desorpcijo molekul vode, ki se običajno absorbirajo na površinah, ki so izpostavljene zračni vlagi. Ta korak je moč preskočiti v primeru čiščenja z izopropanolom. Kljub temu smo se, z namenom optimizacije oprijema na oksidirani površini, odločili za nekajminutno peko pri 140 °C. Pri peki nad temperaturo 140 °C se OH vezi, ki so običajno prisotne na oksidiranih površinah, pretrgajo. Hidrofobnost in adhezija pa se s pretrgom OH vezi povečata [41]. Vodni film se lahko absorbira nazaj na površino, odvisno od relativne vlažnosti zraka in lastnosti materiala, zato je pomembno, da nanos fotorezista izvedemo čim hitreje po peki, a ne preden se substrat ohladi na sobno temperaturo.
4.1.2. Fotolitografija
Potem, ko je površina substrata očiščena lahko pričnemo s postopkom fotolitografije. Gre za tehniko pri kateri s snopom ultravijolične svetlobe in slojem fotorezista na površini substrata izdelamo željeni geometrijski vzorec. Fotolitografijo delimo na fotolitografijo z uporabo maske (t. i. klasična fotolitografija) in fotolitografijo brez uporabe maske. Klasična fotolitografija ima pomembno vlogo v informacijskih tehnologijah, saj je s pomočjo fotolitografije moč izdelati velike količine komponent (npr. integrirana vezja), kjer strukture dosegajo velikosti manjše od 20 nm. Fotolitografija brez uporabe mask pa je čedalje bolj v ospredju, predvsem zaradi razvoja laserskih tehnologij, ki omogočajo izdelavo vzorca daleč pod uklonsko limito uporabljene svetlobe [42].
Eksperimentalno delo
Za nanos fotorezista smo se poslužili tehnike spin coatinga, ki se uporablja za nanašanje enakomernih tankih slojev na ravno podlago. Spin coating se pogosto uporablja pri mikroizdelavi slojev na steklene ali monokristalne substrate. Pri spin coatingu se na površino, ki se vrti z določeno kotno hitrostjo, nanese majhno količino premaznega materiala, v našem primeru fotorezista. Le ta, se ob pomoči delovanja centrifugalnih in viskoznostnih sil, razširi preko podlage. Debelina filma je odvisna od časa vrtenja, viskoznosti in površinske napetosti premaznega materiala, kotne hitrosti vrtenja in parnega tlaka topil v kapljevini. V splošnem velja, da večja kot je kotna hitrost vrtenja, tanjši je film premaznega materiala. Debelina filma je odvisna tudi od koncentracije raztopine in topila [43]. Za spin coating smo uporabili napravo proizvajalca Laurell, tipa WS-650MZ-23NPPB.
4.1.2.1. Izbira fotorezista
Fotorezist je zmes kemikalij, pri čemer je vsaj ena izmed kemikalij občutljiva na UV svetlobo. Glede na to, kateri del fotorezista ostane na površini po razvijanju substrata, osvetljeni ali neosvetljeni, ločimo dve vrsti fotorezistov. Pri negativnem fotorezistu po osvetljevanju na substratu ostane osvetljeni del fotorezista, pri pozitivnem fotorezistu pa na substratu ostane neosvetljeni del fotorezista.
Pri izdelavi elektrod smo uporabili pozitivni fotorezist. Zaradi lastnosti laserskega osvetljevalnika, ki površino osvetljuje z valovno dolžino 375 nm, smo se sprva odločili za uporabo fotorezista družine AZ 1500, natančneje za fotorezist AZ 1505. Gre za družino pozitivnih fotorezistov, ki se odzivajo na celotni UV spekter (310-440 nm valovne dolžine) in pokrivajo vse zahteve za splošno proizvodnjo polprevodnikov in drugih aplikacij z ločljivostjo do 1 μm. Zaradi težav pri nadaljnjem koraku dvigovanja (ang. lift off), v katerem pride do odstranitve kovinskega sloja, se je izbrani fotorezist izkazal za napačno izbiro.
V nadaljevanju smo se zato odločili za uporabo fotorezista serije AZ ECI 3000, ki je prav tako občutljiv na UV spekter med 320 nm in 440 nm in velja za najsodobnejšo serijo pozitivnih fotorezistov. Serijo ECI 3000 odlikujejo zelo visoka ločljivost, dobra adhezija na običajne substrate, strme stranske stene fotorezista in široko območje procesnih parametrov.
Uporabili smo tip fotorezista AZ ECI 3012, katerega lastnosti so visoka ločljivost, dober oprijem pri postopku odstranjevanja ter dobra toplotna stabilnost [44].
Karakteristična debelina filma fotorezista AZ ECI 3012, kot funkcija hitrosti vrtenja podana s strani proizvajalca, je prikazana na sliki 4.4.
Eksperimentalno delo
Slika 4.4: Debelina filma AZ ECI 3012 v odvisnosti od kotne hitrosti (povzeto po [44])
Pri izbiri ustrezne debeline fotorezista smo vzeli v obzir kasnejša dva postopka pri izdelavi elektrod (to sta postopek napraševanja in postopek dvigovanja zlatega sloja). Po pravilu palca mora biti sloj fotorezista vsaj 10-krat debelejši od kovinskega sloja, ki ga želimo odstraniti. Zaradi procesnih parametrov postopka napraševanja na Institutu Jožefa Štefana (IJS), smo se odločili za debelino fotorezista 1,31 μm. Fotorezist smo torej na substrat nanesli s pomočjo spin coaterja pri kotni hitrosti 3000 RPM. Nanosu fotorezista na površino sledi postopek mehkega pečenja (ang. softbake (SB)). Tekoči fotorezisti imajo po nanosu na površino še vedno previsoko vsebnost topil za nadaljnjo obdelavo in jih je zato potrebno posušiti s toplotno obdelavo. Namen mehkega pečenja je zmanjšati preostalo koncentracijo topila, s čimer med osvetljevanjem preprečimo izločanje dušika (kot stranskega produkta), zmanjšamo nastanek temne erozije med razvijanjem, omogočimo večslojni nanos fotorezista ter izboljšamo stabilnost strukture [44]. Vzorec smo pekli na grelni plošči 90 sekund in pri temperaturi 90 °C. Pri tem velja omeniti, da se celoten postopek priprave vzorca, ki vključuje uporabo fotorezista, izvaja pri t. i. rumeni svetlobi. Do reakcije fotorezista na UV svetlobo pride v spektru valovne dolžine 320 – 450 nm, zato lahko poleg sončne svetlobe tudi bela umetna svetloba (npr. fluorescentne cevkaste luči) nenamenoma osvetli fotorezist.
Ko se vzorec ohladi na sobno temperaturo je pripravljen na korak osvetljevanja. S pomočjo direktnega laserskega osvetljevanja (LDI) smo izdelali vzorec na sloj pozitivnega fotorezista. Direktno lasersko osvetljevanje uporablja različne mehanizme za usmerjanje enega ali več laserskih žarkov na podlago. Največja slabost LDI je počasen pretok podatkov, saj je prenašanje na kompleksni maski z enim laserjem dolgotrajno. Veliko prednosti pa ponuja pri postopku mikrostrukturiranja [42]. V magistrskem delu smo za izdelavo fotolitografije uporabili laser proizvajalca miDALIX, tip DaLI, katerega tehnične specifikacije so prikazane v preglednici 4.1.
0
2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000
Debelina sloja d [μm]
Kotna hitrost ω[RPM]
Eksperimentalno delo
Preglednica 4.1: Tehnične specifikacije laserskega osvetljevalca MiDALIX [44]
Vrsta laserja diodni laser
Moč laserja 20 mW
Maksimalen naklon vzorca ± 27 mrad Valovna dolžina osvetljevanja 375 nm
Širina laserja 1 μm (ang. fine tool) / 3 μm (ang. coarse tool) Hitrost osvetljevanja < 100 000 točk/s Frekvenca pulziranja laserja konstantno
Pri nastavitvi parametrov laserja smo določili velikost snopa žarka 3 μm, izpostavljenost vzorca UV svetlobi pa 100 mJ/cm2. Slika 4.5 prikazuje razporeditev elektrod v delovni mreži laserskega osvetljevalnika, pri uporabi grobega tipa laserja (ang. coarse tool). Vsako polje delovne mreže predstavlja posamezen korak osvetljevanja. Dozo izpostavljenosti smo določili na podlagi nadaljnjih postopkov, kot sta postopek razvijanja ter postopek dvigovanja.
Slika 4.5: Delovna mreža laserskega osvetljevalnika
Po končanem postopku osvetljevanja sledi druga toplotna obdelava vzorca imenovana pečenje po osvetlitvi (ang. post exposure bake (PEB)). Vzorec smo pekli na grelni plošči 90 sekund in pri temperaturi 110 °C. Medtem, ko je pri običajnih pozitivnih fotorezistih fotoreakcija z osvetlitvijo zaključena, pa kemično ojačani fotorezisti potrebujejo nadaljnji korak toplotne obdelave. PEB zaključi fotoreakcijo sproženo med osvetlitvijo. Brez PEB se fotorezist ne bi razvil oz. bi bilo razvijanje zelo počasno [44].
V skladu s priporočili proizvajalca fotorezista smo pri koraku razvijanja fotorezista uporabili razvijalec AZ 351B MIC. Gre za razvijalec, ki vsebuje kovinske ione in je zato idealen pri uporabi kovin. Gre za vodno, anorgansko alkalno raztopino brez vonja, ki je združljiva s postopki šaržnega in linijskega razvijanja. AZ 315B MIC je osnovan na puferskem NaOH in se običajno uporablja v razredčitvi z destilirano vodo v razmerju 1:3-4. Mi smo se poslužili
Eksperimentalno delo
Postopek razvijanja ima velik vpliv na kvaliteto izdelanega vzorca. Slike v nadaljevanju prikazujejo posnetke substrata po koraku razvijanja. Pri tem slika 4.8 prikazuje preveč razvit vzorec (substrat je bil predolgo potopljen v zmesi razvijalca in destilirane vode). V tem primeru vidimo, da se je zaradi predolge izpostavljenosti v razvijalcu, vzorec stika med elektrodami izbrisal. Slika 4.9 prikazuje idealno razvit fotorezist na substratu. Vzorec zig-zag je jasno viden, brez nepravilnosti na robovih. Slika 4.10 prikazuje premalo razvit fotorezist (vzorec ni bil dovolj dolgo potopljen v zmesi razvijalca in destilirane vode). V tem primeru na substratu vidimo ostanke delovne površine laserskega osvetljevalca.
Celotno sosledje postopka fotolitografije z vsemi pripadajočimi parametri je povzeto na sliki 4.6.
Slika 4.6: Sosledje postopka fotolitografije
Po razvijanju je na vzorcu moč s prostim očesom videti izrisane elektrode, kot je prikazano na sliki 4.7.
Eksperimentalno delo
Slika 4.8: Preveč razvit fotorezist
Slika 4.9: Idealno razvit fotorezist
Slika 4.10: Premalo razvit fotorezist
Eksperimentalno delo
4.1.3. Napraševanje
V naslednjem koraku smo vzorec poslali na Institut Jožefa Štefana, kjer so na površino nanesli tanek film zlata. Pri tem so se poslužili postopka napraševanja, ki je najbolj univerzalna tehnika nanašanja tankih plasti. S postopkom napraševanja lahko pripravimo tanke plasti iz skorajda poljubne snovi (npr. kovin, spojin, dielektrikov, zlitin itd.). Gre za netermično metodo uparitve snovi, pri čemer površino obstreljujemo z visokoenergijskimi ioni iz ionske puške ali plazme [46]. Pri napraševanju uporabimo Au in Cr tarčo, za inerten plin pa je bil uporabljen argon. Silicijeve rezine med postopkom rotirajo okrog obeh tarč.
Najprej nanašamo krom (1 minuto pri 250 W), nato pa še zlato (4 minute pri 200 W). Vmesni sloj kroma se naprašuje predvsem zaradi kisika, ki v začetni fazi nukleacije napraševanja sloja kroma migrira iz substrata v krom, kar omogoča učinkovitejše vezanje kroma na površino v primerjavi z zlatom. Zlati sloj pa se učinkoviteje veže na sloj kroma kot na površino substrata [47]. Debelina tankega filma zlata na koncu znaša približno 100 nm.
4.1.4. Dvig zlatega sloja
Sledi postopek imenovan dvigovanje (ang. lift off), pri katerem s površine odstranjujemo preostali fotorezist in z njim kovinski sloj. Pri postopku lift off-a uporabljamo odstranjevalec fotorezista, kateri s površine odstrani strukture fotorezista ter z njim nanj nanešen material (v našem primeru zlat film). Sloj zlata, ki je bil nanešen neposredno na substrat (na mesto, kjer ni fotorezista zaradi osvetljevanja), se tudi po lift off-u ohrani na substratu. Obraten postopek dvigovanju je jedkanje. Za postopek lift off-a smo se odločili, saj je pri nekaterih materialih (med njimi tudi pri zlatu) mokro kemično jedkanje problematično zaradi slabe adhezije maske fotorezista. V splošnem se problemi lift off-a pojavijo zaradi parametrov nanašanja filma kovinske prevleke. Če pride do velikega segrevanja podlage med postopkom napraševanja lahko visoke temperature ogrozijo obstoječe strukture fotorezista (mehčanje, raztezanje). Kot pravilna izbira se izkaže tip fotorezista AZ ECI 3012, saj je toplotno stabilen in ima visoko temperaturo mehčanja.
Potek postopka lift off-a je prikazan na sliki 4.11, ki v kronološkem zaporedju (a) – f)) dvig zlatega filma s površine silicijeve rezine.
Eksperimentalno delo
Slika 4.11: Prikaz odstranjevanja zlatega filma v časovnem sosledju a) – f)
Pri postopku lift off-a smo se ravnali po priporočilih proizvajalca fotorezista in uporabili fotorezistu kompatibilen odstranjevalec AZ 100. Gre za aminsko topilo in standarden
»ready-to-use« odstranjevalec fotorezista. Pri postopku odstranjevanja zlatega sloja smo vzorce položili v petrijevko z odstranjevalcem ter jo položili na grelnik ogret na temperaturo
»ready-to-use« odstranjevalec fotorezista. Pri postopku odstranjevanja zlatega sloja smo vzorce položili v petrijevko z odstranjevalcem ter jo položili na grelnik ogret na temperaturo